英飞凌650V IGBT切换耗损减少30%

浏览次数:664发布时间:2020-03-27 10:58:59文章分类: 篮板青春

英飞凌(Infineon)针对谐振应用扩充最新一代逆导绝缘闸双极性电晶体(IGBT),内建单片整合RC二极体的全新650伏特(V)产品,使高效能RC-H5产品系列可以运用于更广泛的应用範围。全新离散式RC-H5 650伏特功率半导体是多炉电磁炉及变频微波炉应用的理想选择,适用于所有部份硬式切换半桥拓扑。

英飞凌IGBT功率离散式元件行销协理Roland Stele表示,电磁炉在家电应用中拥有巨大的节能潜力。全新分离式RC-H5 650V产品,可扩充家电应用範围,协助客户开发出只需较少资源就能达到高度可靠性的系统。

新推出的的离散式650伏特功率半导体比前世代产品拥有更良好的能源效率,切换损耗进一步降低30%,让设计人员可以使用高达40kHz的切换频率工作。整体而言,全新设计的离散式功率半导体具有更好的能源效率特性,可让整体系统节省5%的能源消耗。

採用RC-H5 650伏特产品操作的系统,由于增加阻断电压,可靠度大幅提升,提供更多的设计裕度。650伏特产品能够依据要求提供软式或硬式切换,不仅使用上更加灵活,同时整体系统也有较低的应变。

英飞凌网址:www.infineon.com